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品牌：国际整流器/IR型号：FTA04N60C材料：GE-N-FET锗N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：大功率控制方式：脉冲宽度调制（PWM）封装外形：P-DIT/塑料双列直插
一、概述：种类元素半导体用途4N60 4A, 600V, RDS(on) = 2.3Ω@VGS= 10
二、4N60封装：TO-220 TO-251 TO-252
深圳市华晶微电子有限公司提供多种型号的场效应管：
1N60 2N60 4N60 8N60 7N60 10N60 12N60 13N60，厂家直接供货价格优势明显，本公司提供的场效应管，MOS管质量过硬,价格优惠。想找更多场效应管，MOS的请找深圳市华晶微电子有限公司！
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