士兰微电子  佛山晶品

士兰微电子 佛山晶品

士兰微电子4N60系列场效应管MOSFET

产品型号：SVF4N60

产品主要参数：

ID                   4A

Rdson（max）         2.4Ω

VDSS                 600V

产品封装形式         TO-220-3L(T) , TO-220F-3L(F)、TO-252-2L

典型应用：电子镇流器、电子开关、开关电源、电子变压器等

SVF4N60D/F(G)/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。