P沟道MOSFET CYT2305

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品牌/型号：CYT/CYT2305种类：绝缘栅MOSFET沟道类型：P沟道导电方式：增强型用途：SW-REG/开关电源封装外形：SMDSO/表面封装

产品描述
CYT2305是一个使用垂直D-MOS技术的增强型P沟道塑封场效应管这个产品是专门用于计算机,通讯,消费电子以及工业应用等设计中
产品特性
性质：P沟道，中功率频率特性：中频结构：点接触型材料：锗(Ge)封装形式：SOT-23贴片型封装材料：树脂封装
类型
VDSS漏源电压(V)
VGSS栅源电压(V)
ID漏极电流(A)
RDS(导通电阻)(Ω)
PD(耗散功率)(W)
VGS(th)高电平门限(V)
封装形式
P沟道
-10
±12
-3.5
0.045@VGS=-4.5V
0.55@VGS=–2.5V
1.25
-0.45~-1.5
SOT23-3

产品技术资料

数据手册封装,Layout,散热设计

产品指标

类型 P沟道
VDSS漏源电压(V) -10
VGSS栅源电压(V) ±12
ID漏极电流(A)
-3.5
RDS(导通电阻)(Ω) 0.045@VGS=-4.5V
0.55@VGS=–2.5V
PD(耗散功率)(W) 1.25
VGS(th)高电平门限(V) -0.45~-1.5
封装形式 SOT23-3

封装管脚图

产品描述

Logic level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using vertical D-MOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

产品特性

Saves PCB space due to small footprintSuitable for high frequency applications due to fast switching characteristicsSuitable for logic level gate drive sourcesSuitable for low gate drive sources
内部方框图

应用电路

DC电气性能

Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ/Nom
Max
Unit
VDS
drain-source voltage
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 150 °C
-30
V
ID
drain current
Tsp = 25 °C
-0.52
A
Ptot
total power dissipation
Tsp = 25 °C
0.417
W
Dynamic characteristics
QGD
gate-drain charge
VGS = -10 V; ID = -0.3 A; VDS = -15 V; Tj = 25 °C
0.5
nC
Static characteristics
RDSon
drain-source on-state resistance
VGS = -10 V; ID = -280 mA; Tj = 25 °C
0.63
0.9
Ω
性能曲线图

应用领域

Battery powered applicationsHigh-speed digital interfaces

设计与应用

如何理解功率MOSFET的数据说明书.pdf
认证和材料报告

实物图

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