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士兰微MOSFET SVF4N60 场效应管 SILAN

产品/服务: 供应
有效期至: 长期有效
最后更新: 2017-06-21 16:48

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    • 详细说明
    品牌/型号:SILAN/士兰微/SVF4N60沟道类型:N沟道导电方式:增强型封装外形:CHIP/小型片状用途:SW-REG/开关电源

     

    士兰微电子  佛山晶品




    士兰微电子 佛山晶品


    士兰微电子4N60系列场效应管MOSFET

     

    产品型号:SVF4N60

     

    产品主要参数:

     

    ID                   4A

     

    Rdson(max)         2.4Ω

     

    VDSS                 600V

     

    产品封装形式         TO-220-3L(T) , TO-220F-3L(F)、TO-252-2L

     

    典型应用:电子镇流器、电子开关、开关电源、电子变压器等

     

    SVF4N60D/F(G)/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。


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