士兰微电子 佛山晶品
士兰微电子 佛山晶品
士兰微电子4N60系列场效应管MOSFET
产品型号:SVF4N60
产品主要参数:
ID 4A
Rdson(max) 2.4Ω
VDSS 600V
产品封装形式 TO-220-3L(T) , TO-220F-3L(F)、TO-252-2L
典型应用:电子镇流器、电子开关、开关电源、电子变压器等
SVF4N60D/F(G)/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
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